![STD40NF03LT4](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-flc10200b-3743.jpg)
STD40NF03LT4
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
40A Tc
5V 10V
1
80W Tc
21 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD
电压 - 额定直流
30V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
40A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STD40
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
80W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1440pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 5V
上升时间
165ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
20A
阈值电压
1V
JEDEC-95代码
TO-252AA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
850 mJ
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
STD40NF03LT4
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
20 A
40A (Tc)
1 V
20 V
80 W
80W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
66 A
15A (Ta), 66A (Tc)
1.8 V
20 V
70 W
3.2W (Ta), 63W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
58 A
13A (Ta), 58A (Tc)
2.5 V
20 V
55 W
55W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
35 A
35A (Tc)
-
20 V
50 W
50W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
19 A
19A (Tc)
-
20 V
2.7 W
2.7W (Ta), 46W (Tc)