底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

8-PowerWDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Digi-Reel®

系列

TrenchFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

100W

终端形式

C BEND

基本部件号

SIZ920

JESD-30代码

R-PDSO-C6

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

DRAIN SOURCE

功率 - 最大

39W 100W

场效应管类型

2 N-Channel (Half Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.1m Ω @ 18.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1260pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

40A

阈值电压

1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

70A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

750μm

长度

6mm

宽度

5mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant