![SIS330DN-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sisa14dnt1ge3-2757.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
4.5V 10V
1
3.7W Ta 52W Tc
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.6m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.0056Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70A
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
高度
1.12mm
长度
3.15mm
宽度
3.15mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxNumber of Terminations
-
SIS330DN-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
35 A
35A (Tc)
1.2 V
20 V
3.7W (Ta), 52W (Tc)
5
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
25 A
25A (Tc)
1.1 V
20 V
4.5W (Ta), 31W (Tc)
5
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
40 A
40A (Tc)
1.2 V
20 V
5W (Ta), 48W (Tc)
5
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
33 A
33A (Tc)
1.2 V
20 V
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
5
SIS330DN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :