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SIR804DP-T1-GE3
PowerPAK® SO-8
Trans MOSFET N-CH 100V 20.8A 8-Pin PowerPAK SO T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
4.5V 10V
1
6.25W Ta 104W Tc
38 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2016
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
7.2mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
6.25W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.2m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2450pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
76nC @ 10V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
栅源电压
1.2 V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SIR804DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
100V
60 A
60A (Tc)
1.2 V
20 V
6.25 W
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PowerPAK? SO-8
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60 A
60A (Tc)
3 V
20 V
104 W
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PowerPAK? SO-8
100V
60 A
60A (Tc)
1.2 V
20 V
6.25 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
23.8 A
60A (Tc)
1.2 V
20 V
6.25 W
SIR804DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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