![SIR826ADP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
制造商包装标识符
S17-0173-Single
60A Tc
4.5V 10V
1
6.25W Ta 104W Tc
34 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
5.5mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
6.25W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2800pF @ 40V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
86nC @ 10V
上升时间
15ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
23.8A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
60A
漏源击穿电压
80V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.12mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIR826ADP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
23.8 A
60A (Tc)
1.2 V
20 V
6.25 W
6.25W (Ta), 104W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
60 A
60A (Tc)
1.2 V
20 V
6.25 W
6.25W (Ta), 104W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
60 A
60A (Tc)
1 V
15 V
110 W
110W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
60 A
60A (Tc)
1.2 V
20 V
6.25 W
6.25W (Ta), 104W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
60 A
60A (Tc)
1.2 V
20 V
6.25 W
6.25W (Ta), 104W (Tc)
SIR826ADP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :