![SIR870DP-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-si7461dpt1e3-3017.jpg)
SIR870DP-T1-GE3
PowerPAK® SO-8
MOSFET, N CH, DI, 100V, 60A, PPK SO8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
4.5V 10V
1
6.25W Ta 104W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
6mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
6.25W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2840pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
84nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SIR870DP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
100V
60 A
60A (Tc)
1.2 V
20 V
6.25 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
11.2 A
11.2A (Ta)
2.7 V
20 V
5 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
60 A
60A (Tc)
1.5 V
20 V
6.25 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
80V
60 A
60A (Tc)
1.2 V
20 V
6.25 W
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
58.8 A
58.8A (Tc)
-
20 V
5 W
SIR870DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :