规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
4.5V 10V
1
6.25W Ta 104W Tc
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
R-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
104W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.6m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2866pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
上升时间
15ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
9 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.007Ohm
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
300A
最大结点温度（Tj）
150°C
高度
1.12mm
长度
6.25mm
宽度
5.26mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SIR870ADP-T1-GE3 PDF数据手册
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