![SIHG32N50D-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
30A Tc
10V
1
390W Tc
58 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
27 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2550pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
96nC @ 10V
上升时间
75ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
55 ns
连续放电电流(ID)
30A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
89A
DS 击穿电压-最小值
500V
雪崩能量等级(Eas)
225 mJ
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-Max
-
SIHG32N50D-GE3
Through Hole
TO-247-3
500V
30 A
30A (Tc)
3 V
30 V
390W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
-
35 A
35A (Tc)
-
30 V
357W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
500V
36 A
36A (Tc)
3 V
30 V
446W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
-
25 A
25A (Tc)
3 V
30 V
278W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
500V
22 A
22A (Tc)
3 V
30 V
312W (Tc)
SIHG32N50D-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :