![SIHS36N50D-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
247
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
36A Tc
10V
1
446W Tc
79 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
446W
接通延迟时间
33 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3233pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
125nC @ 10V
上升时间
89ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
68 ns
连续放电电流(ID)
36A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-274AA
栅极至源极电压(Vgs)
30V
DS 击穿电压-最小值
500V
雪崩能量等级(Eas)
332 mJ
高度
20.8mm
长度
16.1mm
宽度
5.3mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SIHS36N50D-E3
Through Hole
TO-247-3
500V
36 A
36A (Tc)
3 V
30 V
446 W
-
Through Hole
TO-274AA
500V
36 A
36A (Tc)
4 V
30 V
446 W
-
Through Hole
TO-247-3
500V
30 A
30A (Tc)
3 V
30 V
-
-
Through Hole
TO-274AA
500V
46 A
46A (Tc)
5 V
30 V
450 W
SIHS36N50D-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- Rohs 声明 :