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SIHG22N50D-GE3
TO-247-3
VISHAY SIHG22N50D-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 22 A, 500 V, 0.185 ohm, 10 V, 3 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
22A Tc
10V
1
312W Tc
47 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
312W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
230m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1938pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
98nC @ 10V
上升时间
42ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
40 ns
连续放电电流(ID)
22A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
67A
DS 击穿电压-最小值
500V
高度
20.82mm
长度
15.87mm
宽度
5.31mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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-
SIHG22N50D-GE3
Through Hole
TO-247-3
500V
22 A
22A (Tc)
3 V
30 V
312 W
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Through Hole
TO-247-3
650V
20.6 A
20.6A (Tc)
-
30 V
-
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Through Hole
TO-247-3
-
16 A
16A (Tc)
3 V
30 V
250 W
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Through Hole
TO-247-3
-
25 A
25A (Tc)
3 V
30 V
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-
Through Hole
TO-247-3
400V
25 A
25A (Tc)
-
30 V
-
SIHG22N50D-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :