规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
11 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
16A Tc
10V
1
250W Tc
29 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2007
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
250W
接通延迟时间
27 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
380m Ω @ 8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1900pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
68nC @ 10V
上升时间
156ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
31 ns
连续放电电流(ID)
16A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
40A
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIHG16N50C-E3
Through Hole
TO-247-3
16 A
16A (Tc)
3 V
30 V
250 W
250W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
4 V
30 V
280 W
280W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
5 V
30 V
292 W
250W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
4 V
30 V
280 W
280W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
13 A
13A (Tc)
-
25 V
-
110W (Tc)
SIHG16N50C-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :