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SIHG16N50C-E3

型号:

SIHG16N50C-E3

封装:

TO-247-3

数据表:

SIHG16N50C-E3

描述:

MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    11 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    38.000013g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 16A Tc

  • 10V

  • 1

  • 250W Tc

  • 29 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2007

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 引脚数量

    3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    250W

  • 接通延迟时间

    27 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    380m Ω @ 8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1900pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    68nC @ 10V

  • 上升时间

    156ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    31 ns

  • 连续放电电流(ID)

    16A

  • 阈值电压

    3V

  • JEDEC-95代码

    TO-247AC

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    500V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    40A

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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