![SIHG20N50C-E3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
20A Tc
10V
1
250W Tc
32 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2017
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
292W
接通延迟时间
80 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
270m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2942pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
76nC @ 10V
上升时间
27ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
44 ns
连续放电电流(ID)
20A
阈值电压
5V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.27Ohm
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
80A
栅源电压
5 V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIHG20N50C-E3
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
5 V
30 V
292 W
250W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
4 V
30 V
280 W
280W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
20 A
20A (Tc)
4 V
30 V
280 W
280W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
23 A
23A (Tc)
4 V
30 V
280 W
280W (Tc)
SIHG20N50C-E3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :