![SIHG25N40D-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-vs40tps16m3-9621.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
25A Tc
10V
1
278W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2016
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
附加功能
AVALANCHE RATED
引脚数量
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
170m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1707pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
88nC @ 10V
上升时间
57ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
37 ns
连续放电电流(ID)
25A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
400V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
78A
雪崩能量等级(Eas)
556 mJ
高度
20.82mm
长度
15.87mm
宽度
5.31mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxVgs (Max)
-
SIHG25N40D-GE3
Through Hole
TO-247-3
25 A
25A (Tc)
3 V
30 V
278W (Tc)
±30V
-
Through Hole
TO-247-3
22 A
22A (Tc)
3 V
30 V
312W (Tc)
±30V
-
Through Hole
TO-247-3
30 A
30A (Tc)
3 V
30 V
390W (Tc)
±30V
-
Through Hole
TO-247-3
23 A
23A (Tc)
4 V
30 V
280W (Tc)
±30V
SIHG25N40D-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN封装 :
- Rohs 声明 :