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SIHG25N40D-GE3

型号:

SIHG25N40D-GE3

封装:

TO-247-3

数据表:

SiHG25N40D

描述:

MOSFET 400V 170mOhm@10V 25A N-Ch D-SRS

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    38.000013g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 25A Tc

  • 10V

  • 1

  • 278W Tc

  • 40 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2016

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED

  • 引脚数量

    3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 接通延迟时间

    21 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    170m Ω @ 13A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1707pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    88nC @ 10V

  • 上升时间

    57ns

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    37 ns

  • 连续放电电流(ID)

    25A

  • 阈值电压

    3V

  • JEDEC-95代码

    TO-247AC

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏源击穿电压

    400V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    78A

  • 雪崩能量等级(Eas)

    556 mJ

  • 高度

    20.82mm

  • 长度

    15.87mm

  • 宽度

    5.31mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Continuous Drain Current (ID)
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    Threshold Voltage
    Gate to Source Voltage (Vgs)
    Power Dissipation-Max
    Vgs (Max)
  • SIHG25N40D-GE3

    SIHG25N40D-GE3

    Through Hole

    TO-247-3

    25 A

    25A (Tc)

    3 V

    30 V

    278W (Tc)

    ±30V

  • SIHG32N50D-GE3

    Through Hole

    TO-247-3

    22 A

    22A (Tc)

    3 V

    30 V

    312W (Tc)

    ±30V

  • SIHG22N50D-GE3

    Through Hole

    TO-247-3

    30 A

    30A (Tc)

    3 V

    30 V

    390W (Tc)

    ±30V

  • IRFP360LCPBF

    Through Hole

    TO-247-3

    23 A

    23A (Tc)

    4 V

    30 V

    280W (Tc)

    ±30V

SIHG25N40D-GE3 PDF数据手册