
SIHF30N60E-GE3
TO-220-3 Full Pack
MOSFET 600V 125mOhms@10V 29A N-Ch E-SRS
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
29A Tc
10V
1
37W Tc
63 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
E
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
125mOhm
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
125m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2600pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
上升时间
32ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
29A
阈值电压
2V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
65A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
690 mJ
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SIHF30N60E-GE3
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600V
29 A
29A (Tc)
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20 V
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TO-220-3 Full Pack
600V
21 A
21A (Tc)
2 V
20 V
-
SIHF30N60E-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :