
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
1
35W Tc
50 ns
10V
25A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2007
系列
CoolMOS™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
35W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
125m Ω @ 16A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.1mA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2500pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
70nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
25A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
82A
雪崩能量等级(Eas)
708 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IPA60R125CPXKSA1
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
650V
25 A
25A (Tc)
20 V
35 W
35W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
-
29 A
31.5A (Tc)
25 V
40 W
40W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600V
29 A
29A (Tc)
20 V
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37W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
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28 A
28A (Tc)
20 V
-
39W (Tc)
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IPA60R125CPXKSA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- 仿真模型 :
- 冲突矿产声明 :