![FCP099N60E](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-scd7912btg-8243.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
1.8g
晶体管元件材料
SILICON
37A Tc
10V
1
357W Tc
92 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.95
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
24 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
99m Ω @ 18.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3465pF @ 380V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
114nC @ 10V
上升时间
23ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
22 ns
连续放电电流(ID)
37A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.099Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
111A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级(Eas)
809 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
FCP099N60E
Through Hole
TO-220-3
600V
37 A
37A (Tc)
20 V
357W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
-
38 A
38A (Tc)
20 V
35W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600V
29 A
29A (Tc)
20 V
37W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-220-3
600V
33 A
33A (Tc)
20 V
278W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
-
37.9 A
37.9A (Tc)
30 V
34W (Tc)
10V
FCP099N60E PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- 到达声明 :