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SIHP33N60EF-GE3
TO-220-3
VISHAY SIHP33N60EF-GE3 MOSFET, N CHANNEL, 600V, 33A, TO-220AB-3
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
33A Tc
10V
1
278W Tc
161 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
接通延迟时间
28 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
98m Ω @ 16.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3454pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
155nC @ 10V
上升时间
43ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
48 ns
连续放电电流(ID)
33A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.098Ohm
DS 击穿电压-最小值
600V
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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SIHP33N60EF-GE3
Through Hole
TO-220-3
600V
33 A
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34 A
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