
SIHF22N60E-GE3
TO-220-3 Full Pack
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
21A Tc
10V
1
35W Tc
66 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
E
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
180mOhm
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
35W
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
180m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1920pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
86nC @ 10V
上升时间
27ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
21A
阈值电压
2V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
56A
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIHF22N60E-GE3
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
21 A
21A (Tc)
2 V
20 V
35 W
35W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
21 A
21A (Tc)
4 V
20 V
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35W (Tc)
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TO-220-3 Full Pack
15 A
15A (Tc)
2 V
20 V
34 W
34W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
23.8 A
23.8A (Tc)
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20 V
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34W (Tc)
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Through Hole
TO-220-3 Full Pack
15 A
15A (Tc)
2 V
20 V
34 W
34W (Tc)
SIHF22N60E-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 组装/原产地 :
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