工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

PowerPAK® 1212-8 Dual

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

2

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchFET®

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

30MOhm

最大功率耗散

2.5W

终端形式

C BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

SI7904

引脚数量

8

JESD-30代码

S-XDSO-C6

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

5 ns

功率 - 最大

17.8W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

30m Ω @ 7.1A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

860pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24nC @ 8V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

6A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6A

漏源击穿电压

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate

高度

1.04mm

长度

3.05mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free