FDS9926A
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
ON SEMICONDUCTOR - FDS9926A - Dual MOSFET, Dual N Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
2
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
已出版
2003
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
20V
最大功率耗散
2W
终端形式
GULL WING
额定电流
6.5A
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2W
接通延迟时间
8 ns
功率 - 最大
900mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 6.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
650pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 4.5V
上升时间
9ns
下降时间（典型值）
4 ns
连续放电电流(ID)
6.5A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏极-源极导通最大电阻
0.03Ohm
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
栅源电压
1 V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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FDS9926A
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6.5 A
1 V
10 V
2 W
2 W
8
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6.5 A
1 V
12 V
2 W
2 W
8
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
6.6 A
700 mV
12 V
2 W
2 W
8
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7 A
1.2 V
12 V
2 W
2 W
8
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8 A
-
10 V
-
2.5 W
8
FDS9926A PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :