![SISA18ADN-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sisa14dnt1ge3-2757.jpg)
SISA18ADN-T1-GE3
PowerPAK® 1212-8
Trans MOSFET N-CH 30V 15.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
38.3A Tc
4.5V 10V
1
3.2W Ta 19.8W Tc
15 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
S-PDSO-C5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
19.8W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.5nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
+20V, -16V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
38.3A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
-16V
漏极-源极导通最大电阻
0.0075Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70A
雪崩能量等级(Eas)
5 mJ
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SISA18ADN-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
38.3 A
38.3A (Tc)
1.2 V
-16 V
19.8 W
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40 A
11A (Ta), 40A (Tc)
1.2 V
20 V
40 W
40W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
38.3 A
38.3A (Tc)
1.2 V
2.4 V
-
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
33 A
33A (Tc)
1.2 V
20 V
3.3 W
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
40 A
40A (Tc)
-
-16 V
3.3 W
3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
SISA18ADN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :