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SIRA34DP-T1-GE3
PowerPAK® SO-8
MOSFET 30V 6.7mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
22 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
40A Tc
4.5V 10V
1
3.3W Ta 31.25W Tc
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
R-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6.7m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1100pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 10V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
+20V, -16V
下降时间(典型值)
6 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
-16V
漏极-源极导通最大电阻
0.0067Ohm
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
5 mJ
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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SIRA34DP-T1-GE3
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PowerPAK? SO-8
40 A
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20 V
2.8 W
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PowerPAK? SO-8
33 A
33A (Tc)
20 V
3.3 W
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
ROHS3 Compliant
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Surface Mount
8-PowerWDFN
46.2 A
17.1A (Ta), 46.2A (Tc)
-
-
1.1W (Ta)
ROHS3 Compliant
SIRA34DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :