![SIS322DNT-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sisa14dnt1ge3-2757.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
38.3A Tc
4.5V 10V
1
3.2W Ta 19.8W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
已出版
2004
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
S-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1000pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.5nC @ 10V
上升时间
20ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
+20V, -16V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
38.3A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
2.4V
漏极-源极导通最大电阻
0.0075Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
5 mJ
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CContinuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-Max
-
SIS322DNT-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
30V
38.3A (Tc)
38.3 A
1.2 V
2.4 V
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
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Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
11A (Ta), 40A (Tc)
40 A
1.2 V
20 V
40W (Tc)
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Surface Mount
PowerPAK? SO-8
30V
33A (Tc)
33 A
1.2 V
20 V
3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
-
38.3A (Tc)
38.3 A
1.2 V
-16 V
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
-
40A (Tc)
40 A
-
-16 V
3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
SIS322DNT-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :