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SIS434DN-T1-GE3
PowerPAK® 1212-8
VISHAY - SIS434DN-T1-GE3 - MOSFET, N-KANAL, 40V, 35A, POWERPAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
4.5V 10V
1
3.8W Ta 52W Tc
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
7.6mOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
250
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.6m Ω @ 16.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1530pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 10V
上升时间
25ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
2.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SIS434DN-T1-GE3
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PowerPAK? 1212-8
35 A
35A (Tc)
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42 A
42A (Tc)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
42 A
42A (Tc)
2 V
20 V
90 W
90W (Tc)
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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
43 A
13.1A (Ta), 43A (Tc)
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20 V
-
1.6W (Ta)
SIS434DN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :