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规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
4.5V 10V
1
3.8W Ta 52W Tc
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
MATTE TIN
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.8W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.1m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1600pF @ 12.5V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
35A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
高度
1.04mm
长度
3.05mm
宽度
3.05mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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SIS430DN-T1-GE3 PDF数据手册
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