
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
40A Tc
4.5V 10V
1
5W Ta 50W Tc
32 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.6m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1715pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 10V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
25A
漏极-源极导通最大电阻
0.0046Ohm
漏源击穿电压
25V
高度
1.04mm
长度
4.9mm
宽度
5.89mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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PowerPAK? SO-8
35 A
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5 W
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SIR436DP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :