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规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
4.5V 10V
1
3.8W Ta 52W Tc
30 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.8mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
引脚数量
8
JESD-30代码
S-PDSO-C5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5.2W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.8m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1600pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 10V
上升时间
15ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
1.2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
22A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
高度
1.04mm
长度
3.05mm
宽度
3.05mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIS410DN-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
35 A
35A (Tc)
1.2 V
20 V
5.2 W
3.8W (Ta), 52W (Tc)
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PowerPAK? SO-8
35 A
35A (Tc)
1.2 V
20 V
36 W
4.2W (Ta), 36W (Tc)
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PowerPAK? SO-8
35 A
35A (Tc)
2.5 V
20 V
5 W
5W (Ta), 27.7W (Tc)
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PowerPAK? 1212-8
35 A
35A (Tc)
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20 V
3.8 W
3.8W (Ta), 52W (Tc)
-
Surface Mount
DirectFET? Isometric S1
12 mA
12A (Ta), 37A (Tc)
-
20 V
15 W
1.8W (Ta), 15W (Tc)
SIS410DN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :