工厂交货时间

15 Weeks

底架

Surface Mount

安装类型

Surface Mount

包装/外壳

DirectFET™ Isometric S1

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

12A Ta 37A Tc

4.5V 10V

1

1.8W Ta 15W Tc

5.2 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

JESD-30代码

R-XBCC-N2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

15W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

7.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.9m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1190pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 4.5V

上升时间

20ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

6 ns

连续放电电流(ID)

12mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0059Ohm

漏源击穿电压

25V

雪崩能量等级（Eas）

24 mJ

高度

558.8μm

长度

4.826mm

宽度

3.95mm

辐射硬化

No

RoHS状态

RoHS Compliant