
BSZ0506NSATMA1
8-PowerTDFN
In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V, 8-Pin TSDSON Infineon BSZ0506NSATMA1
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
15A Ta 40A Tc
4.5V 10V
1
2.1W Ta 27W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
S-PDSO-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.4m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
950pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
上升时间
2.4ns
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
40A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
15A
漏极-源极导通最大电阻
0.0053Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
160A
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead
相关型号
- 图片产品型号品牌MountContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation-MaxRoHS StatusMoisture Sensitivity Level (MSL)Part Status
-
BSZ0506NSATMA1
Surface Mount
40 A
15A (Ta), 40A (Tc)
20 V
2.1W (Ta), 27W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
Active
-
Surface Mount
50 A
50A (Tc)
20 V
5.2W (Ta), 69W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
Active
-
Surface Mount
42 A
20A (Ta), 42A (Tc)
20 V
2.5W (Ta), 78W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
Active
-
Surface Mount
49 A
21A (Ta), 49A (Tc)
20 V
2.5W (Ta), 50W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
Active
-
Surface Mount
42 A
19A (Ta), 42A (Tc)
20 V
2.5W (Ta), 46W (Tc)
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
Active
BSZ0506NSATMA1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN封装 :
- 冲突矿产声明 :