![SIS415DNT-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sis932ednt1ge3-8498.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
35A Tc
2.5V 10V
1
3.7W Ta 52W Tc
82 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
S-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
3.7W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5460pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
180nC @ 10V
上升时间
38ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
35A
栅极至源极电压(Vgs)
-1.5V
漏极-源极导通最大电阻
0.004Ohm
漏源击穿电压
-20V
雪崩能量等级(Eas)
20 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRoHS Status
-
SIS415DNT-T1-GE3
Surface Mount
20V
35 A
35A (Tc)
-1.5 V
3.7 W
3.7W (Ta), 52W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
-
35 A
35A (Tc)
20 V
5.2 W
3.8W (Ta), 52W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
-
35 A
35A (Tc)
20 V
3.8 W
3.8W (Ta), 52W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
20V
40 A
17.5A (Ta), 40A (Tc)
10 V
-
2.3W (Ta)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
20V
27 A
50A (Tc)
8 V
4.8 W
4.8W (Ta), 57W (Tc)
ROHS3 Compliant
SIS415DNT-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :