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SISS23DN-T1-GE3

型号:

SISS23DN-T1-GE3

封装:

PowerPAK® 1212-8S

数据表:

SISS23DN

描述:

SISS23DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 27 A; 20 V; 8-Pin PowerPAK 1212

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    PowerPAK® 1212-8S

  • 引脚数

    8

  • 50A Tc

  • 1.8V 4.5V

  • 1

  • 4.8W Ta 57W Tc

  • 140 ns

  • 操作温度

    -50°C~150°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    4.8W

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    4.5m Ω @ 20A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    900mV @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    8840pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    300nC @ 10V

  • 上升时间

    50ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    50 ns

  • 连续放电电流(ID)

    27A

  • 阈值电压

    900mV

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 漏源击穿电压

    -20V

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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