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SISS23DN-T1-GE3
PowerPAK® 1212-8S
SISS23DN-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 27 A; 20 V; 8-Pin PowerPAK 1212
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® 1212-8S
引脚数
8
50A Tc
1.8V 4.5V
1
4.8W Ta 57W Tc
140 ns
操作温度
-50°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
元素配置
Single
功率耗散
4.8W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 20A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8840pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
300nC @ 10V
上升时间
50ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
27A
阈值电压
900mV
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
SISS23DN-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8S
20V
27 A
50A (Tc)
900 mV
8 V
4.8 W
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
-
35 A
35A (Tc)
1 V
20 V
3.8 W
-
Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
20V
35 A
35A (Tc)
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-1.5 V
3.7 W
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Surface Mount
PowerPAK? 1212-8
20V
30 A
30A (Tc)
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8 V
3.7 W
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
35 A
35A (Tc)
1.6 V
20 V
77 W
SISS23DN-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :