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SIR846ADP-T1-GE3
PowerPAK® SO-8
MOSFET 100V 7.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
6V 10V
1
5.4W Ta 83W Tc
28 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
9.5MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
R-PDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5.4W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
14 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.8m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2350pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
66nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
200A
高度
1.12mm
长度
6.25mm
宽度
5.26mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIR846ADP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
60 A
60A (Tc)
1.8 V
20 V
5.4 W
5.4W (Ta), 83W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
60 A
60A (Tc)
1.5 V
20 V
6.25 W
6.25W (Ta), 104W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
60 A
60A (Tc)
3 V
20 V
104 W
6.25W (Ta), 104W (Tc)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
61 A
61A (Tc)
2 V
20 V
140 W
140W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
60 A
60A (Tc)
1.5 V
20 V
5.4 W
5.4W (Ta), 83W (Tc)
SIR846ADP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :