IRFS4510TRLPBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
61A Tc
10V
1
140W Tc
28 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
140W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.9m Ω @ 37A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3180pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
87nC @ 10V
上升时间
32ns
Vgs（最大值）
±20V
连续放电电流(ID)
61A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
250A
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRFS4510TRLPBF
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
61 A
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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59A (Tc)
2 V
20 V
160 W
160W (Tc)
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75 A
75A (Tc)
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20 V
310 W
310W (Tc)
IRFS4510TRLPBF PDF数据手册
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