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IPB70N10S3L12ATMA1

型号:

IPB70N10S3L12ATMA1

封装:

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

数据表:

IPx70N10S3L-12

描述:

Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    14 Weeks

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 70A Tc

  • 4.5V 10V

  • 1

  • 125W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    LOGIC LEVEL COMPATIBLE

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    11.8m Ω @ 70A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.4V @ 83μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5550pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    80nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    100V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    70A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.012Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    280A

  • DS 击穿电压-最小值

    100V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    154 mJ

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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