IPB70N10S3L12ATMA1
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) TO-263
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
70A Tc
4.5V 10V
1
125W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.8m Ω @ 70A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 83μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5550pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
70A
漏极-源极导通最大电阻
0.012Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
280A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
154 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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