AUIRF3710ZS
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
59A Tc
10V
1
160W Tc
41 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2010
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-XSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
160W
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2900pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
120nC @ 10V
上升时间
77ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
56 ns
连续放电电流(ID)
59A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
雪崩能量等级（Eas）
200 mJ
栅源电压
2 V
高度
4.83mm
长度
10.67mm
宽度
11.3mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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