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SIHP8N50D-GE3

型号:

SIHP8N50D-GE3

封装:

TO-220-3

数据表:

SIHP8N50D

描述:

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 引脚数

    3

  • 质量

    6.000006g

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 8.7A Tc

  • 10V

  • 1

  • 156W Tc

  • 17 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    156W

  • 接通延迟时间

    13 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    850m Ω @ 4A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    527pF @ 100V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    30nC @ 10V

  • 上升时间

    16ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    500V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    11 ns

  • 连续放电电流(ID)

    8.7A

  • 阈值电压

    3V

  • JEDEC-95代码

    TO-220AB

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.85Ohm

  • DS 击穿电压-最小值

    500V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    29 mJ

  • 高度

    9.01mm

  • 长度

    10.51mm

  • 宽度

    4.65mm

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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