规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
10V
1
147W Tc
9A Tc
55 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
QFET®
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
730mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
500V
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
额定电流
9A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
147W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
730m Ω @ 4.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1450pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
36nC @ 10V
上升时间
95ns
Vgs（最大值）
±30V
下降时间（典型值）
60 ns
连续放电电流(ID)
9A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9A
漏源击穿电压
500V
双电源电压
500V
栅源电压
5 V
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
FQP9N50
Through Hole
TO-220-3
9 A
9A (Tc)
30 V
147 W
147W (Tc)
10V
Through Hole
TO-220-3
11.5 A
11.5A (Tc)
30 V
165 W
165W (Tc)
10V
Through Hole
TO-220-3
10.5 A
10.5A (Tc)
30 V
135 W
135W (Tc)
10V
Through Hole
TO-220-3
10 A
10A (Tc)
30 V
147 W
147W (Tc)
10V
Through Hole
TO-220-3
11 A
11A (Tc)
30 V
170 W
170W (Tc)
10V
FQP9N50 PDF数据手册
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