![SIHP10N40D-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-sihp15n60ee3-0432.jpg)
SIHP10N40D-GE3
TO-220-3
VISHAY - SIHP10N40D-GE3 - MOSFET, N-CH, 400V, 10A, TO-220AB
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
质量
6.000006g
晶体管元件材料
SILICON
10A Tc
10V
1
147W Tc
18 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
147W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
600m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
526pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
30nC @ 10V
上升时间
18ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
10A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏极-源极导通最大电阻
0.6Ohm
漏源击穿电压
400V
高度
9.01mm
长度
10.51mm
宽度
4.65mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIHP10N40D-GE3
Through Hole
TO-220-3
10 A
10A (Tc)
3 V
30 V
147 W
147W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
10.5 A
10.5A (Tc)
4 V
30 V
135 W
135W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
11 A
11A (Tc)
4 V
30 V
170 W
170W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
10 A
10A (Tc)
4 V
30 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
10 A
10A (Tc)
4 V
30 V
134 W
134W (Tc)
SIHP10N40D-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :