![IRF840LCPBF](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysiliconix-irl540pbf-1406.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
质量
6.000006g
8A Tc
10V
1
125W Tc
27 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2007
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
Through Hole
电阻
850mOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
500V
额定电流
8A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
125W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1100pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
39nC @ 10V
上升时间
25ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
19 ns
连续放电电流(ID)
8A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
500V
双电源电压
500V
输入电容
1.1nF
恢复时间
740 ns
漏源电阻
850mOhm
最大rds
850 mΩ
栅源电压
4 V
高度
9.01mm
长度
10.41mm
宽度
4.7mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
IRF840LCPBF
Through Hole
TO-220-3
500V
8 A
8A (Tc)
4 V
850 mΩ
30 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
8 A
8A (Tc)
4 V
-
20 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
500V
8 A
8A (Tc)
4 V
850 mΩ
30 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
400V
10 A
10A (Tc)
4 V
550 mΩ
30 V
125 W
125W (Tc)
-
Through Hole
TO-220-3
-
9.5 A
9.5A (Tc)
4 V
-
30 V
156 W
156W (Tc)
IRF840LCPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :