工厂交货时间

11 Weeks

触点镀层

Tin

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

8A Tc

10V

1

125W Tc

49 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

AVALANCHE RATED

电压 - 额定直流

500V

额定电流

8A

引脚数量

3

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

125W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

850m Ω @ 4.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

63nC @ 10V

上升时间

23ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.85Ohm

漏源击穿电压

500V

恢复时间

970 ns

栅源电压

4 V

高度

9.01mm

长度

10.41mm

宽度

4.7mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free