
SIHG47N65E-GE3
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
47A Tc
10V
1
417W Tc
156 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
417W
接通延迟时间
47 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
72m Ω @ 24A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5682pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
273nC @ 10V
上升时间
87ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
103 ns
连续放电电流(ID)
47A
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.072Ohm
DS 击穿电压-最小值
650V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SIHG47N65E-GE3
Through Hole
TO-247-3
650V
47 A
47A (Tc)
20 V
417 W
417W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
-
52 A
52A (Tc)
20 V
481 W
481W (Tc)
-
Through Hole
TO-3P-3 Full Pack
600V
47 A
47A (Tc)
20 V
357 W
357W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
600V
47 A
47A (Tc)
20 V
357 W
357W (Tc)
-
Through Hole
TO-247-3
650V
48 A
48A (Tc)
-
-
360W (Tc)
SIHG47N65E-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- Rohs 声明 :