规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
19 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-3P-3 Full Pack
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
47A Tc
10V
1
357W Tc
140 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
2012
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电阻
64mOhm
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
357W
接通延迟时间
50 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
64m Ω @ 24A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9620pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
220nC @ 10V
上升时间
25ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
26 ns
连续放电电流(ID)
47A
阈值电压
2.5V
JEDEC-95代码
TO-247AD
栅极至源极电压(Vgs)
20V
DS 击穿电压-最小值
600V
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SIHW47N60E-GE3
Through Hole
TO-3P-3 Full Pack
600V
47 A
47A (Tc)
2.5 V
20 V
357 W
Through Hole
TO-247-3
-
52 A
52A (Tc)
-
20 V
481 W
Through Hole
TO-247-3
600V
47 A
47A (Tc)
2.5 V
20 V
357 W
Through Hole
TO-247-3
600V
47 A
47A (Tc)
2.5 V
20 V
357 W
Through Hole
TO-247-3
600V
33 A
33A (Tc)
2 V
20 V
278 W
SIHW47N60E-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :