工厂交货时间

12 Weeks

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

Through Hole

底架

Through Hole

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

140 ns

481W Tc

1

10V

52A Tc

已出版

2013

系列

FRFET®, SuperFET® II

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

481W

接通延迟时间

43 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

72m Ω @ 26A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8660pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

215nC @ 10V

上升时间

38ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

52A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.072Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

156A

雪崩能量等级（Eas）

1128 mJ

宽度

4.82mm

长度

15.87mm

高度

20.82mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

无铅

Lead Free