
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8 Dual
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
3.2A
2
65 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
64mOhm
最大功率耗散
1.5W
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
SI7949
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C6
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
64m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 10V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
9 ns
连续放电电流(ID)
-5A
阈值电压
-3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.04mm
长度
4.9mm
宽度
5.89mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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SI7949DP-T1-E3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8 Dual
60V
-5 A
3.2A
-3 V
20 V
1.5 W
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Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
60V
3.3 A
-
-
20 V
1.5 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
4.7 A
4.7A, 3.4A
1 V
20 V
2 W
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
-
4 A
-
1.7 V
15 V
2 W
SI7949DP-T1-E3 PDF数据手册
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