DMN6070SSD-13
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8-SO
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
23 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
73.992255mg
晶体管元件材料
SILICON
2
35 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
1.5W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
通道数量
2
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
3.5 ns
功率 - 最大
1.2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
588pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12.3nC @ 10V
上升时间
4.1ns
漏源电压 (Vdss)
60V
下降时间(典型值)
11 ns
连续放电电流(ID)
3.3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
雪崩能量等级(Eas)
5.9 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
高度
1.5mm
长度
4.95mm
宽度
3.95mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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DMN6070SSD-13 PDF数据手册
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