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SI7456DDP-T1-GE3
PowerPAK® SO-8
VISHAY SI7456DDP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
27.8A Tc
4.5V 10V
1
5W Ta 35.7W Tc
19 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
42MOhm
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
JESD-30代码
R-PDSO-C5
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
5W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
13 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29.5nC @ 10V
上升时间
14ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
27.8A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
70A
高度
1.12mm
长度
6.25mm
宽度
5.26mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI7456DDP-T1-GE3
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
27.8 A
27.8A (Tc)
1.5 V
20 V
5 W
5W (Ta), 35.7W (Tc)
-
Surface Mount
PowerPAK? SO-8
21 A
21A (Tc)
3 V
20 V
29.7 W
4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.3 A
11.1A (Tc)
2.8 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.3 A
7.3A (Ta)
4 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
19.7 A
19.7A (Tc)
2 V
20 V
3.5 W
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
SI7456DDP-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :