![SI4056DY-T1-GE3](https://static.esinoelec.com/200dimg/siliconlabs-si4834a20gu-3790.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
11.1A Tc
4.5V 10V
1
2.5W Ta 5.7W Tc
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
23MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
23m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
900pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
7.3A
阈值电压
2.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.75mm
长度
5mm
宽度
4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
SI4056DY-T1-GE3
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.3 A
11.1A (Tc)
2.8 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
14 A
14A (Ta)
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
7.3 A
7.3A (Ta)
4 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
14 A
14A (Ta)
1.8 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8 A
8A
1 V
20 V
2 W
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SI4056DY-T1-GE3 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :