IRF8714PBF
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
14A Ta
4.5V 10V
1
2.5W Ta
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2007
JESD-609代码
e3
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
电阻
8.7MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.7m Ω @ 14A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 25μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1020pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 4.5V
上升时间
9.9ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
5 ns
连续放电电流(ID)
14A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
雪崩能量等级（Eas）
65 mJ
恢复时间
21 ns
栅源电压
1.8 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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IRF8714PBF PDF数据手册
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