工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

Surface Mount

底架

Surface Mount

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

7.3 ns

2.5W Ta

1

4.5V 10V

11A Ta

已出版

2007

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

11.9MOhm

端子位置

DUAL

终端形式

GULL WING

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

6.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.9m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

760pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.3nC @ 4.5V

上升时间

7.9ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.4 ns

连续放电电流(ID)

11A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

53 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

栅源电压

1.8 V

宽度

3.9878mm

长度

4.9784mm

高度

1.75mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

No

达到SVHC

No SVHC

无铅

Lead Free