SI7370DP-T1-E3
PowerPAK® SO-8
Trans MOSFET N-CH 60V 9.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
PowerPAK® SO-8
引脚数
8
质量
506.605978mg
晶体管元件材料
SILICON
9.6A Ta
6V 10V
1
1.9W Ta
50 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchFET®
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
11MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
FAST SWITCHING
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-XDSO-C5
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
1.9W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
16 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
11m Ω @ 12A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
57nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
15.8A
阈值电压
4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
9.6A
漏源击穿电压
60V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
50A
栅源电压
4 V
高度
1.04mm
长度
4.9mm
宽度
5.89mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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SI7370DP-T1-E3
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PowerPAK? SO-8
15.8 A
9.6A (Ta)
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11A (Ta)
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1.9 W
1.9W (Ta)
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8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
12 A
12A (Ta)
4.9 V
20 V
97 mW
2.5W (Ta)
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Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8 A
8A
4 V
20 V
2 W
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